IPP13N03LB G参数：MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.8毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1355pF@15V功率-最大值：52W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
